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优质氮化镓衬底有利于提升肖特基势垒二极管参数

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深圳大学的刘新科博士和他的团队近期试制了GaN基肖特基势垒二极管(SBD),并且接纳的是澳门葡京官方平台提供的2英寸氮化镓自支撑衬底晶片,该二极管使用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的触头质料,接纳CMOS工艺兼容的步伐模块,比如栅极堆叠形成欧姆接触。

纳维提供的的2英寸氮化镓自支撑衬底晶片接纳氢化物气相外延(HVPE)要领生长,位错密度小于106cm-2。因为自支撑GaN衬底的质量较好,因此制备出的GaN基SBD实现了截止击穿电压VBR1200V、通态电阻Ron7mohm.cm2、功率器件品质因VBR2/Ron2.1×108V2ohm-1cm-2,Ion/Ioff电流比也实现了文献报道中的最优值~2.3× 1010

以上数据说明,GaN衬底晶片的质量对SBD的影响很大,高质量的SBD,在额定的闭塞电压下,可以实现高功率状态下导通损耗最低。因为GaN基功率整流器(如肖特基二极管)在高温高压下体现出超低导通损耗,所以可应用在新一代电力电子电路中。并且该器件的电源电压仅在几百伏的范畴内,在开关电路制造方面有非常大的本钱竞争力。

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